恩智浦在美设厂 GaN G 射频PA芯片
恩智浦首席执行官库尔特·西弗斯(KurtSievers)在主题演讲中说，“ 当天标志着恩智浦 个重要里程碑。通过在亚利桑那州建立这 令人难以置信 设施并挖掘关键人才,狗粮快讯网报道上述,我们能够将注意力集中在GaN技术上,作为驱动下 代 G基站基础设施 部分。”
氮化镓是硅 替代品。这种材料是 G网络中 个关键成分,因为它可以处理 G网络中使用 高频,同时比产品芯片材料消耗更少 功率和占用更少 空间。随着 G 发展,每个 G天线所需 射频解决方案 密度呈指数级攀升,但必须保持相同 尺寸并降低功耗。GaN功率晶体管已成为满足这些需求 新佳选购,大大提高了功率密度和效率。
荷兰恩智浦(NXP)半导体企业周 表示,已在美国亚利桑那州钱德勒市(Chandler)开设了 家工厂, 用于 G电信设备 氮化镓芯片。
该企业表示,新工厂将有 个研究和开发中心,以帮助工程师加速氮化镓半导体 开发和专利申请。
该 线已经雇佣约 零零名员工从事氮化镓(GaN) 制造工作,专门用于 GRF功率放大器。该工艺技术可以用于在 英寸晶圆上 单片微波集成电路,由于对发射功率 特殊要求, G基站对功率放大器提出了更多需求。氮化镓凭借高频、高输出功率 优势,狗粮快讯网消息披露,正在 G基站功率放大器领域得到越来越广泛 应用。
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